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管道感應(yīng)加熱-晶體性能與結(jié)構(gòu)

發(fā)布時(shí)間:2020-10-23 已經(jīng)有1人查過(guò)此文章 返回感應(yīng)加熱列表

管道感應(yīng)加熱晶體的表面缺陷一般是指具有二維尺寸的晶體缺陷,主要包括晶體外表面、晶體顆粒邊界、雙晶界等。

管道感應(yīng)加熱

管道感應(yīng)加熱晶體外表面晶體外表面的原子與晶體內(nèi)部原子所在的環(huán)境不同,內(nèi)部原子周?chē)秽徑脑訉?duì)稱(chēng)包圍,但表面原子只有一側(cè)被內(nèi)部原子包圍,另一側(cè)暴露在其他介質(zhì)中。因此,表面原子受周?chē)拥淖饔昧Σ痪鶆驅(qū)ΨQ(chēng),表面原子偏離自己的平衡位置,處于能量高的畸形狀態(tài)。表面原子比內(nèi)部原子多的能量稱(chēng)為表面能量。

 

管道感應(yīng)加熱材料表面是明顯的面部缺陷。垂直于表面的方向,平移對(duì)稱(chēng)性被破壞。由于通過(guò)表面與環(huán)境等材料相互作用,因此表面的存在對(duì)材料的物理化學(xué)性能有重要影響。常見(jiàn)的氧化、腐蝕、磨損等自然現(xiàn)象均與表面狀態(tài)有關(guān)。在材料表面,通過(guò)離子束、激光、離子體采購(gòu)等新技術(shù)手段,可以改變材料表面和附近表面的構(gòu)成、結(jié)構(gòu)和性能,具有更好的功能。

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管道感應(yīng)加熱晶粒界限大多數(shù)晶體不是單晶體,而是多晶體,即材料由大量單晶體顆粒組成。在多晶體中,晶粒與晶粒之間存在的界面稱(chēng)為晶界。晶界一般只有幾個(gè)原子的厚度。晶界區(qū)域的原子由于受到兩個(gè)不同晶粒上原子的共同作用而處于不平衡位置,因此具有較高的能量(晶界能量)。晶界可分為小角晶界和大角晶界。兩相鄰晶粒的方向差小于150時(shí),稱(chēng)為小角度晶界的方向差大于150時(shí),稱(chēng)為大角度晶界。

一般來(lái)說(shuō),方向差越大,管道感應(yīng)加熱晶界的厚度越大,接口能力也越高。試驗(yàn)證明,小角度晶界由一系列錯(cuò)位排列而成。


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